RISE i storsatsning på kiselkarbid-baserad halvledarteknik för nästa generations kraftelektronik

”Ny utrustning gör Sverige VÄRLDSLEDANDE.” Att utveckla nästa generation av halvledarteknik med kiselkarbid (SiC) inom kraftelektronik är av största vikt, menar svenska forskningsorganisationen RISE i en färsk pressrelease. Skälen är tunga, inte minst relaterat till en rad industriella verksamheter av stor betydelse för svenska näringsliv: Utvecklingen av kiselkarbid-burna lösningar möjliggör kort sagt en revolution inom energieffektivitet, effekttäthet och prestanda för snabbväxande sektorer som elfordon (EV), förnybar energi och industriella system.
Det som gör saken superaktuell är att RISE nu satsar på halvledarteknologi med kiselkarbid genom att man via ett förvärv av avancerad SiC-epitaxiutrustning i Kista blir världsledande inom krafthalvledare. Detta, hävdar RISEs Paul Halle Zahl Pedersen, divisionschef Digitala system, stärker både svensk och europeisk konkurrenskraft inom nästa generations kraftelektronik.
Bakgrunden är att kraftelektronik är avgörande teknik för att effektivt omvandla, styra och konditionera elektrisk kraft, omvandla den från en form (som högspänningsväxelström) till en annan (som lågspänningslikström för en telefon), med hjälp av halvledarbrytare, vilket gör den avgörande för modern energieffektivitet i allt från att ladda din mobil till att hantera storskaliga förnybara energinät. Till skillnad från vanlig elektronik som bär signaler hanterar kraftelektronik ett betydande energiflöde för att matcha enheter med exakt den spänning, ström och frekvens de behöver, vilket minskar slöseriet. Betydande fördelar jämfört med traditionell kisel (Si) när det gäller att hantera högre spänningar, temperaturer och frekvenser är drastiskt minskade energiförluster, vilket leder till mindre, lättare och effektivare system.
”Tack vare den nya utrustningen blir vi världsledande, vilket stärker vår förmåga att utveckla avancerade lösningar för kraftkomponenter och bidrar till digitalisering, elektrifiering och den gröna omställningen i Sverige och Europa,” summerar RISEs Paul Halle Zahl Pedersen.
Den nya utrustningen möjliggör skräddarsydd SiC Epitaxi, där ett kristallager växer ovanpå ett substrat med samma kristallstruktur. Tekniken är avgörande för utvecklingen av högpresterande och energieffektiv kraftelektronik och utgör en kritisk komponent i Europas ambition att uppnå teknologisk suveränitet inom halvledarsektorn.